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电子元器件详细资料 » IC[28399] » SUP60N06-12P-E3
型号:SUP60N06-12P-E3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-220-3描述:MOSFET N-CH D-S 60V TO220AB

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH D-S 60V TO220AB
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)60V
电流_连续漏极(Id)0a025000C60A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C12 毫欧 @ 30A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs55nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1970pF @ 30V
功率_最大3.25W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装TO-220AB
包装管件

供应商

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深圳市春东电子有限公司朱先生/王小姐0755-82563615/82563213
深圳市芯福林电子科技有限公司张女士0755-82574045
深圳诚思涵科技有限公司朱先生0755-83015506-23947236
深圳市裕硕科技有限公司雷小姐086-0755-23613962/82706142
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SUP60N06-12P-E3相关型号

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